化學氣相沉積
日期:2017-7-4 8:53:12 作者: 流量:
化學氣相沉積技術是利用氣態(tài)源物質(zhì)表面上進行化學反應,生成固態(tài)物質(zhì)的技術。在化學氣相沉積過程中,氣體的壓強可以使常壓或低壓。采用低氣壓化學氣相沉積時,用旋片式機械泵使反應室的氣體壓強維持在100Pa左右。氣態(tài)物質(zhì)間的反應一般是在熱激活條件下進行的,多采用電阻加熱或感應加熱方式將反應室加熱至高溫。CVD的氣源物質(zhì)可以是氣態(tài)源、液態(tài)源和固態(tài)源。在CVD設備中,通常最關鍵的部分是反應室的結(jié)構(gòu),有垂直放置的反應室和水平放置的反應室。他們通常適合在大氣壓或以下的氣壓下采用,通常采用對稱設計以保證熱量、反應物質(zhì)和氣體均勻傳送。相對于垂直放置的反應室,水平反應室具有生產(chǎn)效率高、使用方便的優(yōu)點,但是也有沉積涂層相對不太均勻的缺點。它垂直于軸向的截面可以是圓形的,也可以是矩形的,為了獲得更均勻的涂層沉積速度,在這類反應室中,基座通常以一定的角度傾斜。
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